熔体浸渍技术制备SiC_pAlN复合材料

　　熔体浸渍技术制备SiCp/AIN复合材料张忻12，李亚伟金胜利李楠张久兴2（1.武汉科技大学，高温陶瓷与耐火材料湖北省重点。表1为在断口选取3个点的EDS点成分分析结果，可以看出：EDS分析结果与b元素面分布一致。

　　氮化产物的纵断口形貌与电子探针面分析表1中断口各区的EDS成分分析为SiCp/AlN复合材料中胞状氮化铝的形貌照片。从a中可以看出生长前沿是由许多冠胞状氮化铝互相接触生长在一起；从b胞状氮化3结论200°c下用Al-Mg-Si合金反应浸渍碳化硅形成了SiCp/A1N复合材料，在此温度下，Al-Mg-Si合金中的Mg元素极易蒸发，与气氛中的微量氧发生反应，起到深脱氧作用，而Si元素的存在使Al-Si熔体容易浸渍渗透进入SiC预形体中，同时氮化反应生成AlN形成了以AlN/Si为三维骨架，SiC呈孤岛状结构的SiCp/AlN复合材料。

　　生长前沿氮化铝以胞状方式生长，胞内由呈放射状生长排列的柱状晶氮化铝构成，柱晶之间有大量的通道间隙，Si元素在胞内呈不均匀分布，胞边缘部分的硅含量明显高于胞中心部分，这与柱状氮化铝的生长机理有关。